추천 제품
설명
Crystallographic D spacing ((0001) - c plane: 2.165 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1011) - s plane: 1.961 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1040) - m plane: 1.375 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1102) - r plane: 1.740 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1120) - a plane: 2.379 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1123) - n plane: 1.147 Angstrom)
single side polished
Quality Level
양식
single crystal substrate
경도
9 mohs
길이 × 너비 × 두께
10 mm × 10 mm × 0.5 mm
mp
2040 °C (lit.)
반도체 특성
<0001>
SMILES string
O=[Al]O[Al]=O
InChI
1S/2Al.3O
InChI key
TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N
유사한 제품을 찾으십니까? 방문 제품 비교 안내
관련 카테고리
특징 및 장점
Common substrate for III-V nitrides as well as many other epitaxial films.
물리적 특성
thermal expansion = 7.5 × 10-6 /°C; specific heat = 0.10 cal/°C; thermal conductivity = 46.06 @ 0 °C, 25.12 @ 100 °C, 12.56 @ 400 °C (W/m,K); dielectric constant = ~9.4 @ 300 K at A axis, ~11.58 @ C axis; loss tangent at 10 GHz < 2 × 10-5 at A axis, 5 × 10-6 at C axis
물리적 형태
Crystalline, hexagonal (a = 4.758 Å, c = 12.992)
Storage Class Code
13 - Non Combustible Solids
WGK
nwg
Flash Point (°F)
Not applicable
Flash Point (°C)
Not applicable
개인 보호 장비
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
자사의 과학자팀은 생명 과학, 재료 과학, 화학 합성, 크로마토그래피, 분석 및 기타 많은 영역을 포함한 모든 과학 분야에 경험이 있습니다..
고객지원팀으로 연락바랍니다.