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Quality Level
분석
≥99.99%
양식
solid
반응 적합성
core: zirconium
mp
332-339 °C (lit.)
SMILES string
CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Zr](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C
InChI
1S/4C11H20O2.Zr/c4*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h4*7,12H,1-6H3;/q;;;;+4/p-4/b4*8-7-;
InChI key
MLSNEJQSDZMDFZ-DNSQIVDOSA-J
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일반 설명
Atomic number of base material: 40 Zirconium
애플리케이션
Zirconium source precursor for good quality MOCVD of PNZT.
특징 및 장점
Precursor for zirconia thin films, with deposition at lower temperatures promoted by Pd(hfac)2, or yttria-stabilized zirconia films on silicon and on stainless steel substrates. Zirconium source precursor for good quality MOCVD of PNZT.
신호어
Warning
유해 및 위험 성명서
Hazard Classifications
Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
표적 기관
Respiratory system
Storage Class Code
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
Flash Point (°F)
Not applicable
Flash Point (°C)
Not applicable
개인 보호 장비
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
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