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Quality Level
양식
(single crystal substrate)
저항도
~0.3 Ω-cm
직경 × 두께
2 in. × 0.5 mm
mp
1480 °C
density
4.13 g/mL at 25 °C
반도체 특성
<111>
SMILES string
[P]#[Ga]
InChI
1S/Ga.P
InChI key
HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N
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물리적 특성
Thermal expansion: 5.3 x 10-6/°C
Undoped (N-type semiconductor), carrier concentration = 2-6 × 1016 cm-3, EPD < 3 × 105 cm-2, growth technique = LEC
물리적 형태
cubic (a = 5.4505Å)
신호어
Warning
유해 및 위험 성명서
Hazard Classifications
Eye Irrit. 2 - STOT SE 3
표적 기관
Respiratory system
Storage Class Code
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 2
Flash Point (°F)
Not applicable
Flash Point (°C)
Not applicable
개인 보호 장비
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
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